Cambridge GaN Devices (CGD), ha annunciato la nomina di Robin Lyle a Vicepresidente di Ricerca e Sviluppo.
La nomina di Lyle rafforzerà ulteriormente la missione di CGD: rivoluzionare l’elettronica di potenza e accelerare la transizione verso sistemi ad alta efficienza energetica.
Chi è Robin Lyle
Con 30 anni di esperienza nel settore dei semiconduttori di potenza, Lyle apporta al ruolo una vasta esperienza e competenza.
“Il GaN consentirà applicazioni prima impensabili e i nostri circuiti integrati ICeGaN®, con i circuiti di interfaccia del driver e le funzioni di protezione sullo stesso chip GaN dello switch, semplificano notevolmente l’implementazione di progetti basati sul nitruro di gallio”.
Con una solida esperienza nella tecnologia dei semiconduttori analogici e di potenza, maturata presso Dynex, Lyle sarà prezioso per lo sviluppo del portafoglio prodotti di CGD, destinati a data center, alimentatori industriali ad alta potenza e applicazioni per veicoli elettrici.
Lyle è anche strettamente legato al mondo accademico, ricoprendo una posizione ufficiale presso l’Università di Nottingham, dove fa parte del comitato consultivo industriale per l’ingegneria elettronica, contribuendo a definire il programma di studi e collaborando con gli studenti universitari.
Giorgia Longobardi, fondatrice e Ceo di CGD, commenta: “CGD è un’azienda fondata su nuove idee e innovazione e questa nomina rafforza le nostre competenze nei sistemi ad alta potenza, dove il GaN ha un futuro brillante”.
Potrebbe interessarti anche:
