Cambridge GaN Devices unisce le forze con NXP Semiconductors per accelerare il time to market nei settori dei data center e dell’automotive.
Questi mercati in forte crescita rappresentano un’enorme opportunità per il GaN.
L’Agenzia Internazionale dell’Energia prevede che il consumo energetico dei data center raddoppierà entro il 2030, rendendo il miglioramento dell’efficienza energetica un imperativo fondamentale.
La collaborazione a lungo termine consentirà a Nxp di sviluppare soluzioni di sistema basate su GaN.
Nxp potrà sfruttare:
- i prodotti GaN avanzati di CGD
- l’accesso anticipato agli sviluppi GaN di nuova generazione
- la vasta esperienza del team nei processi e nelle tecnologie GaN.
Allo stesso tempo, CGD beneficerà dell’accesso all’ampio portafoglio di processori e prodotti analogici di Nxp.
I commenti
Fabio Necco, AD di CGD, ha detto:
“Collaborando a stretto contatto con NXP, stiamo accelerando la transizione verso una nuova classe di elettronica di potenza basata su GaN.
Questa collaborazione mira a sfruttare le prestazioni del GaN per aumentare l’efficienza, la densità di potenza e l’affidabilità nei sistemi reali dei data center e del settore automobilistico, dove prestazioni, costi e sostenibilità devono ormai andare di pari passo”.
Chris Bretz, Vicepresidente, Advanced Power Systems, di Nxp, ha aggiunto:
“CGD combina l’innovazione avanzata del GaN con soluzioni di potenza pratiche e scalabili, offrendo robustezza, affidabilità e prestazioni a livello di sistema superiori.
Grazie alla profonda esperienza nei dispositivi e al solido know-how, CGD è il partner ideale a lungo termine per NXP per accelerare l’adozione del GaN ad alta efficienza nei mercati in forte crescita”.
I vantaggi del GaN
I semiconduttori GaN consentono la commutazione a frequenze più elevate e raggiungono una maggiore efficienza rispetto alle tecnologie concorrenti.
La rapida crescita della domanda di energia nei data center è trainata in particolare dal crescente utilizzo dell’AI.
Nel 2022 un singolo rack poteva consumare solo 40 kW, mentre oggi può assorbirne 200 kW o più, e si prevede che entro il 2030 un singolo rack richiederà 1 MW o più.
L’aumento della densità di calcolo e le moderne architetture di alimentazione impongono requisiti stringenti in termini di densità di potenza e la necessità di fornire elevati rapporti di riduzione della tensione, mantenendo al contempo l’efficienza energetica.
La tecnologia ICeGaN si posiziona in modo unico per soddisfare questi requisiti, consentendo operazioni a frequenze di commutazione più elevate, una maggiore densità di potenza e offrendo un’affidabilità superiore rispetto alle soluzioni GaN discrete.
Negli inverter di trazione per autoveicoli, il GaN può migliorare l’efficienza a basso carico. La tecnologia ICeGaN di CGD è l’unica tecnologia a chip singolo basata su GaN, operante su un driver standard, che consente il parallelismo di più dispositivi per soddisfare gli elevati requisiti di corrente richiesti dagli inverter di trazione.
La complementarietà della proprietà intellettuale e delle competenze delle due aziende consentirà di offrire soluzioni a livello di sistema uniche e differenziate per i clienti che desiderano esplorare i vantaggi dei dispositivi GaN in questi due importanti mercati.
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