Tecnologia GaN: collaborazione tra Navitas Semiconductor e Avnet Silica

Navitas Semiconductor e Avnet Silica annunciano un accordo di collaborazione per l'ampliamento del mercato degli IC di potenza GaN innovativi. La cooperazione porterà vantaggi significativi ai sistemi di prossima generazione che utilizzano la tecnologia al nitruro di gallio (GaN) ad alta efficienza e che sono rivolti a una vasta gamma di applicazioni

Navitas GaN

Avnet Silica e Navitas Semiconductor  hanno stretto una collaborazione che mira alla crescita del mercato europeo degli IC di potenza GaNFast™ ad alta efficienza energetica con tecnologia GaNSense prodotti da Navitas.

Le due società lavoreranno a stretto contatto combinando il proprio know-how complementare per offrire un elevato livello di supporto e di competenza ai clienti in tutta la regione EMEA.

“L’esclusiva tecnologia GaN di Navitas, il gate driver integrato monoliticamente e il set di funzionalità aggiuntive, amplieranno notevolmente il portafoglio ‘SILICA’ di semiconduttori “Wide-Band-Gap”, ha affermato Gilles Beltran, Presidente di Avnet Silica. “Navitas vanta un’esperienza nei semiconduttori di potenza che non ha pari nel settore per questo tipo di tecnologia avanzata. Prevediamo che la nostra cooperazione porterà enormi vantaggi ai clienti che operano sulle architetture dei sistemi di potenza più all’avanguardia rivolte a un’ampia selezione di applicazioni”.

Anche David Carroll, Senior Vice President Worldwide Sales di Navitas, sottolinea i motivi della partnership: “Abbiamo scelto di lavorare con Avnet Silica in quanto è uno dei massimi esperti nella distribuzione di semiconduttori in Europa. La combinazione tra le nostre soluzioni altamente differenziate e l’esperienza di Avnet Silica nei mercati tecnologici supporterà ulteriormente progettisti e ingegneri impegnati a soddisfare requisiti e normative sempre più rigorosi in termini di efficienza e dimensioni. Con il nostro team tecnico di grande esperienza e il laboratorio applicativo europeo, insieme possiamo supportare i clienti offrendo le migliori soluzioni possibili e un time-to-market più rapido”.

La tecnologia GaN di Navitas

La tecnologia GaN è una soluzione per i semiconduttori di nuova generazione che sta crescendo rapidamente grazie alla capacità di offrire prestazioni notevolmente superiori rispetto ai semiconduttori in silicio convenzionali, riducendo al contempo i consumi e gli ingombri. Un dispositivo GaN funziona fino a 20 volte più velocemente rispetto a un dispositivo in silicio e può gestire una densità di corrente tre volte maggiore. A ciò si aggiungono notevoli vantaggi in termini di ingombri. Il tutto, offre a progettisti, ingegneri e architetti di sistemi di potenza dei costi di sistema potenzialmente inferiori del 20%.

I circuiti integrati di potenza GaNFast™ con tecnologia GaNSense™ di Navitas integrano capacità di alimentazione, pilotaggio e controllo, nonché funzioni autonome di protezione e di rilevamento di corrente senza perdite. Ciò garantisce la massima efficienza energetica, il minimo ingombro e le migliori prestazioni nelle soluzioni di conversione di potenza, rendendole un riferimento per il mercato. La più recente famiglia di circuiti integrati a half-bridge GaNSense dell’azienda offre una soluzione rivoluzionaria completamente integrata in un singolo componente che consente agli alimentatori CA-CC di raggiungere frequenze di commutazione nel range dei MHz, ideali in un’ampia gamma di applicazioni.


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