Avnet Silica e Navitas Semiconductor  hanno stretto una collaborazione che mira alla crescita del mercato europeo degli IC di potenza GaNFast™ ad alta efficienza energetica con tecnologia GaNSense prodotti da Navitas.
Le due societĂ lavoreranno a stretto contatto combinando il proprio know-how complementare per offrire un elevato livello di supporto e di competenza ai clienti in tutta la regione EMEA.
“L’esclusiva tecnologia GaN di Navitas, il gate driver integrato monoliticamente e il set di funzionalitĂ aggiuntive, amplieranno notevolmente il portafoglio ‘SILICA’ di semiconduttori “Wide-Band-Gap”, ha affermato Gilles Beltran, Presidente di Avnet Silica. “Navitas vanta un’esperienza nei semiconduttori di potenza che non ha pari nel settore per questo tipo di tecnologia avanzata. Prevediamo che la nostra cooperazione porterĂ enormi vantaggi ai clienti che operano sulle architetture dei sistemi di potenza piĂ¹ all’avanguardia rivolte a un’ampia selezione di applicazioni”.
Anche David Carroll, Senior Vice President Worldwide Sales di Navitas, sottolinea i motivi della partnership: “Abbiamo scelto di lavorare con Avnet Silica in quanto è uno dei massimi esperti nella distribuzione di semiconduttori in Europa. La combinazione tra le nostre soluzioni altamente differenziate e l’esperienza di Avnet Silica nei mercati tecnologici supporterĂ ulteriormente progettisti e ingegneri impegnati a soddisfare requisiti e normative sempre piĂ¹ rigorosi in termini di efficienza e dimensioni. Con il nostro team tecnico di grande esperienza e il laboratorio applicativo europeo, insieme possiamo supportare i clienti offrendo le migliori soluzioni possibili e un time-to-market piĂ¹ rapido”.
La tecnologia GaN di Navitas
La tecnologia GaN è una soluzione per i semiconduttori di nuova generazione che sta crescendo rapidamente grazie alla capacitĂ di offrire prestazioni notevolmente superiori rispetto ai semiconduttori in silicio convenzionali, riducendo al contempo i consumi e gli ingombri. Un dispositivo GaN funziona fino a 20 volte piĂ¹ velocemente rispetto a un dispositivo in silicio e puĂ² gestire una densitĂ di corrente tre volte maggiore. A ciĂ² si aggiungono notevoli vantaggi in termini di ingombri. Il tutto, offre a progettisti, ingegneri e architetti di sistemi di potenza dei costi di sistema potenzialmente inferiori del 20%.
I circuiti integrati di potenza GaNFastâ„¢ con tecnologia GaNSenseâ„¢ di Navitas integrano capacitĂ di alimentazione, pilotaggio e controllo, nonchĂ© funzioni autonome di protezione e di rilevamento di corrente senza perdite. CiĂ² garantisce la massima efficienza energetica, il minimo ingombro e le migliori prestazioni nelle soluzioni di conversione di potenza, rendendole un riferimento per il mercato. La piĂ¹ recente famiglia di circuiti integrati a half-bridge GaNSense dell’azienda offre una soluzione rivoluzionaria completamente integrata in un singolo componente che consente agli alimentatori CA-CC di raggiungere frequenze di commutazione nel range dei MHz, ideali in un’ampia gamma di applicazioni.
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