Nella GaN Valley in Belgio Innoscience apre un nuovo centro di ricerca

Innoscience ha ampliato la sede europea con l’apertura di un nuovo centro di ricerca e sviluppo a Lovanio, in Belgio, per lo sviluppo di tecnologia GaN di nuova generazione

denis marcon innoscience

Innoscience, azienda nata per creare un ecosistema energetico globale basato su soluzioni di potenza al nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) caratterizzate da prestazioni elevate e bassi costi, ha ampliato la sede europea con l’apertura di un nuovo centro di ricerca e sviluppo a Lovanio, in Belgio. La nuova attività di ricerca sui dispositivi di potenza GaN in Belgio è guidata da Jan Šonský, entrato in Innoscience con il ruolo di Vice President of R&D, in stretta collaborazione con il team R&D dell’azienda nel quartier generale di Innoscience.

Šonský si è laureato presso il Politecnico di Delft nei Paesi Bassi e ha 20 anni di esperienza nella ricerca e sviluppo nel settore dei semiconduttori. In precedenza, ha contribuito allo sviluppo di tecnologia al GaN e silicio per applicazioni in ambito mobile e automotive per un’altra grande azienda di semiconduttori, realizzando vere e proprie innovazioni tecnologiche. Ha ricoperto l’incarico di General Chair della conferenza ISPSD e, come riconoscimento dei risultati ottenuti, è entrato a far parte della ISPSD Hall of Fame nel 2021.

Il nuovo centro R&D di Innoscience si trova a Lovanio, vicino a IMEC, un rinomato centro di eccellenza per tecnologie a semiconduttori avanzate, e alla Katholieke Universiteit di Lovanio, famosa per la facoltà di elettronica. Il nuovo team R&D di Innoscience diventa così l’ultimo arrivato nella cosiddetta “GaN Valley” del Belgio. L’azienda punta ad attirare i migliori talenti per realizzare la sua ambiziosa roadmap tecnologica e diventare leader incontrastata nelle soluzioni di potenza GaN. Il centro di ricerca e sviluppo appena creato in Europa svolgerà un ruolo importante nel migliorare le tecnologie e i prodotti GaN di Innoscience in termini di prestazioni e affidabilità, aiutando l’azienda a restare all’avanguardia dell’innovazione futura della tecnologia GaN.

Come ha detto Denis Marcon, General Manager di Innoscience Europe: “Diamo il benvenuto a Jan in Innoscience e guardiamo con grande attesa ai benefici che otterremo dal lavoro suo e del suo team. I nostri dispositivi offrono già prestazioni eccellenti sia alle basse (da 30V a 150V) sia alle alte (650V) tensioni. Ci aspettiamo che il nuovo centro R&D porti risultati ancora migliori in termini di prestazioni, riduzione delle dimensioni e massima affidabilità.”

“Innoscience punta al 100% sul nitruro di gallio”, ha aggiunto Šonský. “Vedo una grande opportunità di promuovere la nostra tecnologia di prossima generazione, consentendo ai progettisti di elettronica di potenza in tutto il mondo e in numerosi mercati di beneficiare delle prestazioni elevate offerte da InnoGaN, rivoluzionando di conseguenza le applicazioni di potenza”.

L’accordo con WPG 

L’apertura del centro di ricerca arriva a poche settimane da un altra tappa importante nella storia di Innoscience Technology: la firma di un accordo di distribuzione mondiale conWPG Holdings“Il nostro obiettivo è che ogni progettista di elettronica di potenza, in qualunque parte del mondo, possa beneficiare dei vantaggi che la tecnologia GaN offre in termini di efficienza, potenza e dimensioni. Per questo motivo abbiamo investito nell’aumento di capacità, la più grande del mondo. La distribuzione è una parte altrettanto importante dei nostri piani, pertanto siamo entusiasti e onorati di presentare WPG, il principale distributore mondiale di semiconduttori, come nostro primo partner per la supply chain globale”, aveva spiegato Marcon commentando la notizia.

Nigel Watts, VP, WPG EMEA, aveva aggiunto: “La tecnologia GaN si avvia a una crescita esplosiva, perché tutti i mercati, dal largo consumo alle comunicazioni, dagli autoveicoli all’industria, stanno compiendo un balzo in avanti nelle prestazioni dei prodotti finali ottenibili grazie al passaggio dai tradizionali dispositivi di potenza al silicio alle nuove soluzioni GaN. Innoscience è il più grande produttore mondiale di dispositivi GaN-on-Si da 8 pollici, con una capacità di 10.000 wafer al mese (WPM), destinata ad aumentare a 70.000 WPM entro il 2025. La firma dell’accordo globale con WPG si inserisce perfettamente in questo quadro. Il prodotto è disponibile fin da subito e i tempi di consegna sono molto più veloci rispetto alle tradizionali alternative in silicio. Le aziende potranno così progettare subito e produrre prima”.


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