Da Rohm nuovi dispositivi GaN per ridurre i consumi energetici

Rohm avvia la produzione di dispositivi GaN HEMT da 150 V con tensione di gate di 8 V, ideali per applicazioni in Centri elaborazione dati

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I dispositivi GaN generalmente presentano caratteristiche di commutazione migliori e una resistenza di ON inferiore rispetto a quelli in silicio e contribuiscono alla riduzione dei consumi energetici di diversi alimentatori, oltre che alla maggiore miniaturizzazione di componenti periferici.

Ecco perché alla produzione di massa di dispositivi SiC e ai dispositivi in silicio dalle numerose funzionalità, Rohm affianca anche lo sviluppo di dispositivi GaN che contribuiscono a una maggiore conservazione dell’energia e miniaturizzazione sotto il marchio EcoGaN™ e sta lavorando all’ampliamento della gamma con dispositivi in grado di migliorare le prestazioni.

Tra questi vi sono i dispositivi GaN HEMT da 150 V con tensione di gate di 8 V, ideali per l’applicazione in circuiti di alimentatori per apparecchiature industriali come centri di elaborazione dati e Base station e dispositivi IoT.

La loro struttura aumenta la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V,  evitando il deterioramento anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione e contribuendo a un miglior margine di design e a una più elevata affidabilità nei circuiti di alimentatori. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package altamente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un’ampia capacità di corrente, facilitando la gestione in fase di montaggio.

A partire da questi prodotti, Rohm continuerà a migliorare l’efficienza energetica nelle fonti di alimentazione in abbinamento con l’esclusiva tecnologia di alimentazione analogica Nano Pulse Control™, creando un importante trend tecnologico che aiuterà i settori dei semiconduttori e delle telecomunicazioni a raggiungere la neutralità al carbonio entro il 2040.

Dove trova applicazione la famiglia EcoGaN 

  • Circuiti per convertitori buck con tensione di ingresso di 48 V per Base station e centri di elaborazione dati
  • Circuiti per convertitori boost per il blocco dell’amplificatore di potenza delle Base station
  • Circuiti di pilotaggio LiDAR, circuiti di ricarica wireless per dispositivi portatili
  • Amplificatori audio di Classe D

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